基于S3C4510B的系统的Flash擦除与烧写问题（二）

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基于S3C4510B的系统的Flash擦除与烧写问题（二） (抄的)
在《基于S3C4510B的系统的Flash擦除与烧写问题（一）》中讨论了Flash的擦除问题，这里再和大家交流一下Flash烧写的问题。    对Flash的烧写，和前一个帖子所讨论的问题一样，首现应将SDRAM映射出来，然后编写一段烧写程序，下载到SDRAM中，同时将待烧写的内容，也下载到SDRAM中的某个区域，然后执行烧写程序，就可将待烧写的内容写入Flash中。    仍然以上一贴的硬件平台为例，在ADS中打开命令窗口，执行如下命令：     >obey c:mymap.txt   此时，2MB的Flash存储器和16MB的SDRAM已分别映射到地址空间的0x0000,0000～（0x0020,0000-1）和0x0040,0000～（0x0140,0000-1）处。   编写一个Flash的烧写程序，由Init.s文件和Main.c文件构成。   Init.s文件的代码如下：    IMPORT Main   AREA    Init,CODE,READONLY   ENTRY   BL Main   B .   END   Main.c文件的代码如下：#define ULCON0 (*(volatile unsigned *)0x03FFD000) //UART channel0 line control register#define UCON0 (*(volatile unsigned *)0x03FFD004) //UART channel0 control register#define USTAT0 (*(volatile unsigned *)0x03FFD008) //UART channel0 status register#define UTXBUF0 (*(volatile unsigned *)0x03FFD00c) //UART channel0 transimit holding register#define URXBUF0 (*(volatile unsigned *)0x03FFD010) //UART channel0 recieve buffer register#define UBRDIV0 (*(volatile unsigned *)0x03FFD014) //Baud rate divisor register0#define AM_WORD_COUNT (64*1024)/2     //此处决定待烧写文件的大小，在此为64KB#define UINT16 unsigned short#define AM_START_ADDR          0x0000000     #define AM_ADDR_UNLOCK1        0x555#define AM_ADDR_UNLOCK2        0x2aa#define AM_DATA_UNLOCK1        0xaaaa#define AM_DATA_UNLOCK2        0x5555#define AM_SETUP_WRITE         0xa0a0#define AM_SETUP_ERASE         0x8080#define AM_CHIP_ERASE          0x1010#define AM_SECTOR_ERASE     0x3030#define AM_RESET     0xf0f0void Delay(unsigned int);void InitUART(int Port,int Baudrate);void PrintUART0(char *s);int Main(){ volatile UINT16 *from_add,*to_add;int i;InitUART(0,0x500);PrintUART0("ARM Starting...n");to_add= (UINT16 *)0x0;from_add=(UINT16 *)0x500000;for(i=0;i