【 tulaoshi.com - Linux 】
基于S3C4510B的系统的Flash擦除与烧写问题（一） (也是抄的)
最近看到很多朋友在设计基于S3C4510B的系统时，碰到了Flash不能正确烧写或擦除的问题，下面根据我的理解对这个问题的作一个说明，以期抛砖引玉： 不同于其他的ARM处理器（如44B0），S3C4510B的每一个bank的地址都是可以通过重映射改变的，因此，系统的存储器，无论是Flash还是SDRAM，其起始地址都不是固定的，而对Flash的擦除，必须知道它的起始地址，否则就不能正确操作，这就是为什么很多朋友不能正确擦除Flash的原因。 以一般的系统设计为例，Flash使用2M、4M或8M，16位数据宽度，对应到Flash/ROM/SRAM的Bank0，SDRAM采用两片16位宽度的器件，并联构成32位的SDRAM存储器系统，对应到SDRAM的Bank0，那么，在Flash的内容为空时，当系统上电或复位后，能直接访问到的只有特殊功能寄存器（SFR）对应的Bank（其首地址为0x3FF0000），和Flash/ROM/SRAM的Bank0（其首地址为0x0），而SDRAM此时是访问不到的。 此时，如果我们想对Flash进行编程或擦除操作，该怎么办呢？ 显然，要对Flash进行编程或擦除操作，必须通过编程完成，而程序此时只能在SDRAM中运行（如果程序不太大，也可放在S3C4510B片内的SRAM中运行。），所以，我们要做的第一步，就是通过配置相应的特殊功能寄存器，将SDRAM映射出来，使其可以被访问到。 下面是我的一个特殊功能寄存器配置文件，名为：mymap.txt，放在C盘根目录下。 setmem 0x3ff0000,0xE7ffff90,32 setmem 0x3ff3010,0x00003002,32 setmem 0x3ff3014,0x02000060,32 setmem 0x3ff302c,0x14010380,32 setmem 0x3ff303c,0xce338360,32 我使用的硬件是2MB的Flash，16MB的SDRAM。在ADS中打开命令窗口，执行如下命令： >obey c:mymap.txt 此时，2MB的Flash存储器和16MB的SDRAM已分别映射到地址空间的0x0000,0000～（0x0020,0000-1）和0x0040,0000～（0x0140,0000-1）处。 编写一个Flash的擦除程序，由Init.s文件和Main.c文件构成。 Init.s文件的代码如下： IMPORT MainAREA Init,CODE,READONLYENTRYBL MainB .END Main.c文件的代码如下：#define UINT16 unsigned short#define AM_START_ADDR 0x0 //此处为Flash的起始地址，设为0 #define AM_ADDR_UNLOCK1 0x555#define AM_ADDR_UNLOCK2 0x2aa#define AM_DATA_UNLOCK1 0xaaaa#define AM_DATA_UNLOCK2 0x5555#define AM_SETUP_WRITE 0xa0a0#define AM_SETUP_ERASE 0x8080#define AM_CHIP_ERASE 0x1010#define AM_SECTOR_ERASE 0x3030#define AM_RESET 0xf0f0int Main(){ *((volatile UINT16 *)AM_START_ADDR+ AM_ADDR_UNLOCK1) = AM_DATA_UNLOCK1; *((volatile UINT16 *)AM_START_ADDR+ AM_ADDR_UNLOCK2) = AM_DATA_UNLOCK2;*((volatile UINT16 *)AM_START_ADDR+ AM_ADDR_UNLOCK1) = AM_SETUP_ERASE; *((volatile UINT16 *)AM_START_ADDR+ AM_ADDR_UNLOCK1) = AM_DATA_UNLOCK1; *((volatile UINT16 *)AM_START_ADDR+ AM_ADDR_UNLOCK2) = AM_DATA_UNLOCK2; *((volatile UINT16 *)AM_START_ADDR+ AM_ADDR_UNLOCK1) = AM_CHIP_ERASE;return(0); }注：系统使用的Flash为29LV160B，其他型号的Flash，命令字有一些区别。 系统使用的SDARM为HY57641620B &
