想要天天向上,就要懂得享受学习。图老师为大家推荐iPhone6第一次充电有什么技巧吗?,精彩的内容需要你们用心的阅读。还在等什么快点来看看吧!
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iPhone6内置的是1810mAh容量锂电池,锂电池相信大家都不会陌生,目前大多数智能手机、笔记本都采用的是锂电池,因此并不需要像以前的古董手机电池那样,第一次充电需要满12个小时,以下就是图老师小编整理的iPhone6第一次充电需要注意的技巧。
【iPhone6第一次充电有什么技巧】
1、大致已经有50%左右电量,建议先用至低于20%,再开始充电,无需立即充电;
2、iPhone6充电的时候,提示充满即可,另外最好是提示满了,再继续充个15分钟最好,不必充过长时间,过长时间充电,对iPhone6无任何好处;
3、尽量将iPhone6的电量用到低于20%后再充,控制在10%-20%以内,这样可以减少充电次数,提升电池寿命,另外尽量充满后就断电,不要过于长时间充电;
4、须使用iPhone6自带充电器进行充电,临时可以使用iPhone5s/5的充电器,请不要使用安卓手机充电器,给iPhone6充电,以免损坏手机;
5、每月进行一次循环充放电,也tulaoShi.com就是将iPhone6电都用光,直到关机为止,然后再充满电。
开启此人的信息窗口,点击右上角的图标,然后开启不要打扰的滑块。在此之后,除非手动关闭,系统就再也不会对该联系人的信息进行任何提醒了。
【iPhone6气压计怎么使用】
1、初次下载需要输入自己的 Apple ID 账号与密码,如图所示。
2、当下载安装好以后,打开应用会看到下图中的画面。
3、当我们调整手机的高度时,此时你会发现屏上会显示变化的数据。看到图中显示的 hPa 了吗?这就是 iPhone6 通过自身的气压计得出当前的气压压强数值,以 hPa 压强单位来表示的。
4、由于iPhone6才刚上市,在后期肯定还会更多的应用会利用气压计来实现一些特殊的功能,有可能会结合苹果在2015年推出的 (图老师整理)Apple Watch 手表,在健康应用中更好的利用气压计这个功能。
(本文来源于图老师网站,更多请访问http://www.tulaoshi.com/isyjq/)近日一则:「128G的iPhone6/Plus 会莫名崩溃,恐导致大规模召回。」的新闻在网上疯传,并且引起了不少苹果用户的担心,尤其是那些根据「要买就买顶配」的买买买原则而选择了 128G的iPhone的用户。不过新闻内容却引起了笔者的好奇,根据报道内容:
引起 iPhone崩溃的原因竟然是NAND FLASHMEMORY(闪存)模块中IC控制单元出现故障,并且苹果为了减少成本使用了低价的NAND TLC FLASH MEMORY而非成本更高、速度更快的NAND MLC FLASH MEMORY。因此当用户安装超过700个App时,iPhone便会自己崩溃,更令消费者感到担忧的是最新的iOS8.1更新中这个问题并未解决,问题是出在硬件上。
NAND TLC/MLC FLASH MEMORY究竟是什么?
首先FLASH MEMORY作为闪存设备,是手机类设备的重要存储介质,由日本的东芝公司于1984年发明。在 FLASH MEMORY中又分为NOR FLASH和NAND FLASH两种常见的类型,其中NOR FLASH属于第一代产品,第一款商用产品是 1988年Intel公司所制造的 NOR FLASH 芯片,不过由于抹写时间较长,成本较高的原因,NOR FLASH很快被NAND FLASH取代。NAND FLASH同样是有东芝公司发明,在1988年的国际固态电路研讨会(ISSCC)所发布。NAND FLASH具有较快的抹写时间, 而且每个存储单元的面积也较小,这让NAND FLASH相较于NOR FLASH具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出NOR FLASH十倍。
在FLASH模块中,数据被存储在由浮闸晶体管组成的记忆单元数组内,在单阶存储单元(Single-level cell, SLC)设备中,每个单元只存储1比特的信息,这简称为SLC NAND FLASH,其优点是传输速度更快,功率消耗更低和存储单元的寿命更长,不过缺点也很明显:每个存储单元包含的信息较少,其每百万字节需花费较高的成本来生产,因此不利于实际生产。而多阶存储单元(Multi-level cell, MLC)设备则利用多种电荷值的控制让每个单元可以存储2比特以上的数据,其「多阶」指的是电荷充电有多个能阶(即多个电压值),如此便能存储多个比特的值于每个存储单元中。借由每个存储单元可存储更多的比特,MLC 闪存可降低生产成本,但比起SLC闪存,其传输速度较慢,功率消耗较高和存储单元的寿命较低,因此MLC闪存技术会用在标准型的储存卡中。而这一次被韩国媒体猛烈抨击的三阶储存单元(Triple-Level Cell, TLC(图老师整理))TLC闪存,它的架构原理与MLC类似,但可以在每个储存单元内储存3个信息比特。TLC的写入速度比SLC和MLC慢,寿命也比SLC和MLC短,大约1000次,但是可以做到大容量和低价格。现在,厂商已不使用TLC这个名字,而是称其为3-bit MLC。
iPhone中到底用了什么FLASH MEMORY
在韩国媒体的报道中「iPhone 不仅使用了成本更低的 NAND TLC FLASH,更重要的是在其控制集成电路(IC)出现了故障。」在iPhone 内部,这块IC主要任务是其他电子元器件和NAND之间的调度和控制,保证数据的正常写入和读取,平时用户不管是拍照还是使用应用都离不开它。
那么实际情况是否如韩国媒体报道的那样?带着好奇,笔者查阅ifixit的拆机资。根据16G的真机实拆图显示,其采用来自韩国的海力士(SKhynix)的NAND FLASH,型号为 H2JTDG8UD1BMS。(图中红色部分)
这颗NAND FLASH在海力士的技术文档中被归为E2NAND 3.0,是由SK Hynix和Anobit合作开发的,而Anobit早已被苹果收购,致力于提高闪存的稳定性。虽然海力士并未明确标注H2JTDG8UD1BMS的类型,但是在全球领先的微电子服务网站TechInsights上,H2JTDG8UD1BMS被明确规范为NAND MLC FLASH MEMORY。
因此此次韩国媒体存在着失实情况,iPhone 6 Plus所使用的就是NAND MLC FLASH MEMORY,而非所谓的廉价NAND TLC FLASH MEMORY。而至于这块FLASH中的控制 IC是否存在问题,目前苹果官方并未出面解释,在其他媒体上也未见反映,因此需要进一步确认。
这则新闻的背后
虽然iPhone 6 Plus中的技术细节已经排查清楚,那么为什么这样一则不实新闻会出现呢?笔者接着进行了排查。
这则新闻最先出现于韩国媒体BusinessKorea,蹊跷的是BusinessKorea引援的内容均来自苹果论坛上的同一个用户,他在总计159篇的讨论帖中都反映了128G iPhone 6 Plus的自动崩溃问题。
显然在这个过程中BusinessKorea存在着明显的缺失,新闻事实明显不足,证据单一,说服力较低。除此之外,也没有查明iPhone 6 Plus 的真实元器件,轻易得出了128G iPhone 6 Plus 采用NAND TLC FLASH MEMORY的错误结论。
虽然苹果官方已经表态,不存在128G iPhone 6 Plus大规模自动崩溃的现象,更不可能大规模召回,但是这则失实新闻对不少苹果用户还是造成不小的影响。在笔者的实际使用过程中,iPhone 6 确实出现过程序崩溃的现象,但是次数十分少见,多为越狱后插件冲突所致,而在日常生活中和媒体上更是从未见过高频率的崩溃现象,因此各位128G的土豪用户大可放心,只是各家媒体长点心吧!不要一味了眼球而不负责任的转载。
方法一:重装手机QQ试试,新版qq下载,如未能解决可参考以下操作:
方法二:
1.安装并打开XY苹果助手。
2.点击左上角的【三横】。
3.点击【修复闪退】。
4.点击QQ【修复】即可。
注:更多精彩教程请关注图老师手机教程栏目,图老师手机数码群:296605639欢迎你的tulaoShi.com加入
来源:http://www.tulaoshi.com/n/20160331/2058573.html
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