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基于S3C4510B的系统的Flash擦除与烧写问题(一)

基于S3C4510B的系统的Flash擦除与烧写问题(一) (也是抄的)
最近看到很多朋友在设计基于S3C4510B的系统时,碰到了Flash不能正确烧写或擦除的问题,下面根据我的理解对这个问题的作一个说明,以期抛砖引玉:    不同于其他的ARM处理器(如44B0),S3C4510B的每一个bank的地址都是可以通过重映射改变的,因此,系统的存储器,无论是Flash还是SDRAM,其起始地址都不是固定的,而对Flash的擦除,必须知道它的起始地址,否则就不能正确操作,这就是为什么很多朋友不能正确擦除Flash的原因。    以一般的系统设计为例,Flash使用2M、4M或8M,16位数据宽度,对应到Flash/ROM/SRAM的Bank0,SDRAM采用两片16位宽度的器件,并联构成32位的SDRAM存储器系统,对应到SDRAM的Bank0,那么,在Flash的内容为空时,当系统上电或复位后,能直接访问到的只有特殊功能寄存器(SFR)对应的Bank(其首地址为0x3FF0000),和Flash/ROM/SRAM的Bank0(其首地址为0x0),而SDRAM此时是访问不到的。  ...[ 查看全文 ]

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